二酸化ゲルマニウム製パワーデバイス パテンティクス
- 各種モータ
- エネルギー効率化技術
- FA機器・システム
- 電源部品・電子部品
- バッテリー技術
- 次世代給電技術
- 電力変換及び高調波電流抑制技術
- 蓄電器
- スイッチング電源
- 高圧電源
- 無停電電源装置(UPS)
- 半導体
- 車載
- 産機
- 回路
- デバイス
- データスペース
- 水素製造・貯蔵・輸送
-
ターゲット
・三菱電機
・ミネベアミツミ
・東芝
・富士電機
・新電元工業
・サンケン電気
・三社電機
・ローム
・インフィニオン
・STマイクロ
・オンセミ
・アルファ＆オメガ
・ビシェイ
-
利用シーン
・電源
・パルス電源
・電鉄関連
・EV
・データセンター
・宇宙関連
・産業用電源 -
製品の特徴
・バンドギャップ→4.7eV(実測値）
・バリガ指数→SiCの10倍以上
・PN両半導体→有る（理論的に）
・オン抵抗→SiCより１桁小さい
・基板→GeO2 on Si
・基板サイズ→６インチ
・硬さ→SiCとSiのあいだ
・ヤング率→SiCとSiの間
・劈開→確認されず
・加工性→良好
・コスト→安価（基板にSi利用）
・放熱性→問題なし（対策あり）
| サイズ・容量 | ルチル型二酸化ゲルマ二ウムは、物性比較でSiCを上回り、そのエピ膜を導電性のバッファー層を介してSi基板上に作ることで、SiCよりもいいものを,SiCよりも安価に提供しようという、まさにUWBD(ウルトラ・ワイド・バンド・ギャップ）と云われる次世代パワー半導体素材の最有力候補ではないかと考えております。 |
|---|---|
| 特記事項 | ・小片サンプル（10mm□）のGeO2 on TiO2のご提供可能 |
| カタログPDF |