次世代パワー半導体素材としての、ルチル型二酸化ゲルマニウム（GeO2)のご紹介をします。また、世界初となる、６インチGeO2 on Si ウェハの展示と、TO247に実装したGeO2 SBD（ショットキーバリアダイオード）の展示もいたします。
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- 会 期
- 2026年7月15日（水）〜17日（金）
- 会 場
- 東京ビッグサイト 西1・2・3ホール
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次世代パワー半導体素材としての、ルチル型二酸化ゲルマニウム（GeO2)のご紹介をします。また、世界初となる、６インチGeO2 on Si ウェハの展示と、TO247に実装したGeO2 SBD（ショットキーバリアダイオード）の展示もいたします。