弊社は次世代パワー半導体素材、二酸化ゲルマニウム（GeO2)の研究開発を行っているベンチャーです。バンドギャップが4.7eV（実測値）とSiC,GaNに比べて大きく、GeO2 on Si によりSiCよりもいいものが、SiCよりも安価になるべく開発を進めています。もともと、ミシガン大学の第一理論計算で、Ｐ型Ｎ型両半導体がある、とされており、これはＰ型半導体が困難な酸化ガリウム、Ｎ型半導体が難しいダイヤモンドに比べて圧倒的に有利になるものと思われます。以下、GeO2の優れた点をご紹介します。
①バンドギャップが4.7eVと大きい
②ＰＮ両半導体が存在する
③バリガ性能指数がSiCの１０倍以上見込まれ、その分性能が良い
④オン抵抗が、SiCの1/10と小さい
⑤SiCよりも安価に出来る
⑥加工性もSiCよりも良い
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- 会 期
- 2026年7月15日（水）〜17日（金）
- 会 場
- 東京ビッグサイト 西1・2・3ホール