岩崎通信機

フェライト,磁性体,アモルファス,ケイ素鋼板,トロイダルコア, EEコア,　単板,粉,圧粉,BH,B-H

全自動で高周波まで正確なコアロス測定
-軟磁性材料の研究・開発から生産検査までのデファクトスタンダード-

高確度・高精度なコアロス測定
岩通のB-HアナライザはCROSS-POWER方式(IEC62044-3に採用)により、周波数スペクトラム上の位相誤差の少ない積分処理、電流検出抵抗器や検出回路の振幅・位相特性の補償により高確度・高精度測定を実現しました。
1984年の発売以来、数回のモデルチェンジを経て着実に確度・精度を高めた岩通のB-Hアナライザはパワエレの更なる発展に貢献します。

10Hz～10MHzの広帯域測定周波数 (SY-8218)
最大電圧±150V、最大電流±6A、～5MHzまで印加するハイパワーアンプ (SY-5001)
車載部品規格 AEC-Q200 Grade0に対応、最大4個の試料の温度特性(-55ºC～+180ºC)を自動測定 (SY-330)
最大41個の試料の温度特性(-30ºC～+150ºC)を自動測定 (SY-321A)
長さ36mm以上(幅35mm以下)の小片単板試料の測定を実現 (SY-956)
DCバイアスを最大30Aまで重畳した測定を実現 (SY-960/961/962)

SiC, GaN, IGBT, MOSFET, パワーモジュール, インバータ,　ダブルパルステスト,　ハイサイド,　ゲート信号

最高周波数帯域：1.5GHz
最大同相信号除去比(CMRR)：180dB
最大同相信号入力電圧(DC+ACpeak)：±60kV
先端のプローブチップケーブルの選択により様々な差動入力電圧に対応：
±1V(×1), ±10V(×10), ±25V(×25), ±50V(×50), ±250V(×250), ±500V(×500), ±1000V(×1000), ±1500V(×1500), ±2500V(×2500)
50ΩのBNC入力を持つオシロスコープに使用可能

信号を測定するプローブヘッドとプローブコントロール部で構成され、その間は光ファイバーケーブルによる
完全アイソレーションを実現しています。

プローブヘッドは広帯域入力アンプとEO変換部で構成され、これらの電源として18650バッテリー(取出充電可、別売)を
使用します。

信号出力出力側のプローブコントロール部は、50Ωの入力を持ったあらゆるオシロスコープに対応するよう
BNCコネクタになっています。

測定する差動電圧に合わせて、様々な減衰比を持った
プローブチップケーブルを選択できます。

プローブヘッドとの取付は、SMAコネクタによって行われます。

プローブチップケーブルの先端は、広帯域で高品位に測定が行えるよう、
低Ls,CpのMMCXコネクタ(P)に対応しています。

また、評価ボード上のMMCX(J)に対応したテストポイントへの接続の他、コネクティビティアクセサリをご用意しております。

半導体デバイス,LSI,電源,インタフェース,メモリ,電気機器,携帯端末,ICモジュール,ESD試験,TLP,CMTI

HPPI社製品は、パルス高電流および高電圧時間領域での半導体デバイスおよび回路の特性評価を可能にします。
システムの開発は、半導体デバイス、統合された高速および無線周波数回路、および半導体業界向けのESD保護ソリューションを持っています。

標準TLP、超高速TLP およびヒューマン メタル モデル (HMM)、ヒューマン ボディ モデル (HBM)、および電荷結合TLP (CC-TLP)を1つのテスト システムに組み合わせて、今日のESDおよびデバイス特性評価のニーズのほとんどをカバーします。具体的には、パルス動作モードでの大電流IV 特性、デバイスのターンオン/オフ過渡特性、ブレークダウン効果、電荷回復効果 (逆回復など)、安全動作領域 (SOA)、およびESD測定があります。

■ TLP/CMTIパルス発生器
TLP-3010C パルス発生器 (オプションのパルス幅エクステンダ TLP-3011C 付き) は、半導体業界で広く使用されている、パルス発生・検出部のフル機能セット30Aモデル です。
TLP-4010C (オプションのパルス幅エクステンダ TLP-3011C を使用) により、出力電流は40Aです。
TLP-8010A (オプションのパルス幅エクステンダTLP-8012A5を使用) は、最大500nsの手動パルス幅設定を含み、80Aの高出力電流が可能です。
TLP-8010C (オプションのTLP-8012A5および/またはTLP-3011Cエクステンダー付き) は、TLP-8010AとTLP-4010Cの機能セットを組み合わせた 80A TLP/VF-TLP/HMM テストシステムです。
TLP-12010C (オプションの TLP-12012A6 および/または TLP-3011C エクステンダー付き) は、TLP-12010A と TLP-4010C の機能セットを 1 つのシステムに組み合わせた、最先端の 120 A TLP/VF-TLP/HMM テスト システムです。
CMTIは、IEC-60747-5-5 および IEC-60747-17 に準拠したデジタル・アイソレータの静的および動的な同相過渡耐性 (CMTI) の評価用に最適化された高電圧・50Ωパルス発生器です。
CMTI-8010C は、最大20,000V/nsの超高速CMTIスルーレートを実現しています。

SiC, GaN, IGBT, パワーデバイス, ダブルパルステスト

スイッチング解析ソフトウェア DS-821 DS-8000シリーズ用
高速化した高電圧・大電流信号を高分解能で測定するとともに、デバイスの特長に応じて解析方法を変更することが可能です。

DS-8000用スイッチング解析ソフトは、デジタルオシロスコープDS- 8000シリーズのプラグイン・ソフトウェアであり、パワーデバイスの動特性を解析し、解析された波形と結果を画面に表示します。

https://www.iwatsu.co.jp/tme/ds/ds8000/ds8000_swsoft/

解析対象は、IGBT、IPM、MOSFETなど
解析内容は、ターンオン、ターンオフ、逆回復、短絡など、測定パラメータに基づいた解析結果を表示
波形データ、測定パラメータのファイルの保存と読み込み機能
カーソルで指定した範囲の波形データを解析

ダブルパルス試験、SiC、GaNデバイス

UFCSモデルのコンパクトなフォームファクタと高い電流容量により、一貫性と信頼性の高い性能が保証されます。GaNスイッチング損失の測定や高周波過渡現象の解析など、あらゆる場面で、はんだ付けシャントは常に最高の精度を保証します。

■ 帯域幅 1GHz超
■ 超低挿入インダクタンス（200pH未満）
■ 各種サイズをご用意：5mΩ、11mΩ、24mΩ、52mΩ
■ WBGスイッチング損失およびパルス電流測定用

UFCSは、現代のパワーエレクトロニクスにおける電流測定分野において、比類なき技術革新の結晶です。最高レベルのCMRR要件が求められる測定には、PMKのFF-1500などの光絶縁型電圧プローブをUFCSに接続できます。
汎用測定には、50Ω入力の測定器に直接UFCSを接続することもできます。UFCSシャントシリーズの最初のモデルリリースは、11mΩ、24mΩ、52mΩバージョンです。

SIC, GaN, MOSFET, インバータモジュール, 熱特性
● SiCデバイスON抵抗の温度依存性評価
● ON電圧の異常な温度上昇の影響を検出
● 過電流状態によって生じるON電圧上昇の測定

スイッチングデバイスのON電圧を確実に計測します

SS-350は、MOSFET等のスイッチングデバイスを起動した際のスイッチ間電圧(ON電圧)を測定するプローブです。
スイッチングデバイスをOFFした際に発生する高い電圧をプローブ内部で制限(クランプ)することにより、
低いON電圧をより正確に測定することができます。

■最大入力電圧　+2,000Vpeak
■クランプ電圧　+1.5V / +2.5V / +5.5V
■当社オシロスコープ DS-8000シリーズ からクランプ電圧とオフセット電圧の設定・電源供給が可能
※本製品は、当社オシロスコープ DS-8000シリーズ でのみ使用可能です。

半導体デバイス,　パワーデバイス,　ワイヤーボンディング,　バスバー,　コイル

極小センサヘッド (最小Φ0.45mm)
アイソレーション電流測定に対応
広帯域 ( DC ～ 150MHz )
測定可能電流 ±140A
50Ω BNC入力のオシロスコープで利用可能

OpECS(オペックス)は、電流の周りに発生する磁場をファラデー効果により捉えることで、電流測定を可能にする
光プローブ電流センサです。センサヘッド部に磁場が存在すると、直線偏光は磁場の影響を受けてその振動方向が変化します。
振動方向は磁場の向きに従って楕円軌道を描き、その方向変化は磁場の大きさに比例します。　
楕円形に偏光した光の情報は後段の本体(コントロールユニット)に送られ、光信号から電気信号に変換されます。
この信号を 50Ω 終端の BNC コネクタを備えたオシロスコープなどに入力することで、電流の測定が行えます。

IGBT等のパワーデバイスを使用したモータードライバ、スイッチング電源、インバータ、コンバータ等の信号測定に最適

BumbleBeeは最大500MHz, 2kV差動入力（1kV同相入力）対応の差動プローブ

■広帯域 500MHz
■最大200V レンジ／400Vレンジ／1kVレンジ／2kVレンジ対応
■ロングケーブル対応　6m,7mバージョンあり
■高CMRR
■4種アッテネーション（50:1, 100:1, 250:1, 500:1）
50Ω入力を備えたあらゆる測定器に使用可能

受動部品,　アンテナ,　非接触給電,　電源,　高周波部品,　アンプ,　アナログアンプ,　フィルタ,　フィードバックループ解析,　Sパラメータ,　インピーダンス,　位相

Bode Analyzer は、コンパクトなUSB制御タイプのインピーダンス&ベクトルネットワークアナライザで、1 Hz ～ 50 MHz / 450 MHzの広い周波数範囲で測定できます。本製品は任意の周波数で正弦波を作成して、2つの電圧を測定します。
2つの電圧の振幅と位相からインピーダンス、透過、反射、アドミタンスなどを計算して表示できます。
本製品にはWindows 10、11 用PCリモートソフト「Bode Analyzer Suite(BAS)」が付属し、測定結果の表示や保存ができます (CSVまたはExcelに対応)。

透過/反射測定
・ケーブル・フィルタ・アンプ・アンテナなどの透過(ゲイン)と反射(インピーダンス)を測定できます。
・特性インピーダンス50 Ωにて、インピーダンスからSパラメータS21およびS11を測定できます。(インピーダンス測定範囲：500 mΩ ～ 10 kΩ)
・付属ソフトで測定し、測定結果の表示やCSVまたはExcelへの保存ができます。また、測定結果表示をクリップしてWordなどに貼り付けることができます。

共振周波数測定
ピエゾ素子・水晶振動子などの共振周波数が測定できます。
また、フィルタの反射曲線をスミスチャート表示できます。

ゲイン/フェーズ測定
フィルタやアンプなどのゲインとフェーズ測定ができます。
内部信号発生器からの出力電圧をDUTの入力並びにリファレンスとしてCH1に入力し、DUTからの出力電圧をCH2に入力します。ゲインは、GAIN=CH2/CH1で測定します。また、CH1に対するCH2のフェーズを測定します。

インピーダンス測定
L・C・R・リード型電子部品・チップ型部品などについて、
オプションのインピーダンス フィクスチャを用いることでインピーダンスを測定できます。(インピーダンス測定範囲：20 mΩ ～ 600 kΩ)(2 端子法)

SiC,GaN,パワー半導体,IGBT,電源,インバータ, 電力変換器,
静特性, I-V,ウエハー,小電力デバイス,微小電流測定

最大電圧5kV、最大電流2kAのSMUを搭載し、パルス出力・ゲートパターン・微小電流測定機能、高電圧C-V測定機能（発売予定）を備えており、SiC、GaN等、ワイドギャップ半導体の設計評価を強力にサポートします。

多彩なユニットの組み合わせで、あらゆる工程における特性評価に最適で、次世代の半導体測定に対応します。

ゲート電圧　　　：　±40 V
電圧レンジ　　　：　0.2 ～ 5 kV
最大測定電流　　：　2 kA
電流測定分解能　：　250 fA
C-V機能　　　　 ：
ウエハー上やチップでの容量測定のために、プローブステーションとのシステム化にも対応