高温逆バイアス試験（HTRB／H3TRB試験）【パワーエレクトロニクス】 OKIエンジニアリング

【概要】
HTRB／H3TRB試験は、高温（および高湿）環境下でデバイスに逆バイアス電圧を印加し、ストレス条件下で信頼性を評価する試験です。OKIエンジニアリングでは、車載パワーモジュールやSiC／GaNなどのワイドギャップ半導体を中心に、試験基板の作製からリーク電流モニターまでワンストップで対応します。
【特長】
・1kV以上の高耐圧試験に対応：高電圧印加が必要なデバイス評価にも対応します。
・温湿度条件を柔軟に設定可能：用途や評価目的に応じた試験条件で実施できます。
・試験基板の作製から相談可能：評価対象デバイスの形状や要望に合わせて対応します。
・Si半導体からSiC／GaNまで対応：従来のSiデバイスに加え、ワイドギャップ半導体の評価も可能です。
・リーク電流のリアルタイム監視が可能：高耐圧データロガーを用いて、試験中の変化を連続モニターできます。
・保護回路としての機能も搭載：複数試料を同一基板で試験する場合でも、故障試料の影響を抑えます。
・ラップ測定にも対応：一定時間ごとに試験を中断し、高精度テスターによるリーク電流確認も可能です。
＃詳細は、お問い合わせもしくは、リアル展示会場にて、ご説明させていただきます。