東芝デバイス＆ストレージ
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/top.html?utm_source=tefr&utm_medium=display&utm_campaign=jp_2507_tef_TdscTop- 国内出展者
- リアル展
- TECHNO-FRONTIER 2025
- 第4回 パワーエレクトロニクス技術展
- ブース番号 4-EE28
当社の半導体はあらゆる電子機器、産業用機器と密接に関わっており、機器のIoTや省エネ化、環境対応車の普及、自動運転やデジタル社会に寄与する製品提供を通じて、社会の脱炭素化・デジタル化に貢献してまいります。
本展示会では、カーボンニュートラルな未来の実現に貢献する、新素材（SiC、GaN）パワー半導体や最新のモーターソリューションなどの当社半導体製品をご紹介します。「東芝グループ」として出展しておりますので、是非ブースにお立ち寄り頂けますと幸いです。
出展製品
-
TW027U65C
-
ターゲット
スイッチング電源 (データセンターなどのサーバー、通信機器など)
EV充電スタンド
太陽光発電用インバーター
無停電電源装置 (UPS) -
製品の特徴
表面実装 (TOLL) パッケージを採用: 機器の小型化、実装工程の自動化が可能。低スイッチング損失。
当社第3世代SiC MOSFET
ドリフト抵抗とチャネル抵抗比の最適化による、ドレイン・ソース間オン抵抗の良好な温度依存性。
ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い。
順方向電圧 (ダイオード) が低い: VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)
-
ターゲット
-
TW092V65C
-
ターゲット
スイッチング電源 (データセンターなどのサーバー、通信機器など)
EV充電スタンド
太陽光発電用インバーター
無停電電源装置 (UPS) -
製品の特徴
表面実装 (DFN8×8) パッケージを採用: 機器の小型化、実装工程の自動化が可能。低スイッチング損失。
当社第3世代SiC MOSFET
ドリフト抵抗とチャネル抵抗比の最適化による、ドレイン・ソース間オン抵抗の良好な温度依存性。
ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い。
順方向電圧 (ダイオード) が低い: VDSF=-1.35V (typ.) (VGS=-5V)
-
ターゲット
-
コードレス電動工具向けモーター駆動回路
-
ターゲット
コードレス電動工具 など
-
利用シーン
コードレス電動工具を開発する際に、モーター駆動回路ブロックとして、そのまま接続可能なリファレンスモデルです。
-
製品の特徴
①コードレス電動工具向けモーター駆動回路を小型基板サイズで実現
ゲートドライバーTB67Z833SFTG、MOSFET、コンパレーターを小型基板へ搭載
②2種類（18V/36V）のデザイン
MOSFETは、18V用TPH1R204PB、36V用TPH2R408QMを準備
③外部MCUとの容易な接続
-
ターゲット
-
Motor Tuning Studio
-
ターゲット
BLDCモーターを駆動すためのするアプリケーション。
-
利用シーン
東芝マイコンを使った、BLDCモーター制御の開発を効率的に実施できます。
-
製品の特徴
・USB接続されるPCツールと、東芝マイコン上に実装されるファームウェアで構成されるモーター制御評価キットです。GUI操作で各種制御パラメーターを動的に操作可能で、煩雑な制御パラメーター調整を容易に実施することができます。
・Ver4.0からDSO(Digital Storage Oscilloscope)機能に対応しました。DSOにより動作状態をリアルタイムにPCツール上でモニタすることが可能です。また、表示データのログファイル出力にも対応しており、データ取得後の分析に活用できます。
・Motor Tuning Studioで抽出された各種モーターパラメータをインポートすることで、迅速に評価をスタートさせることができます。
・評価キットに含まれるマイコンボードとインバーターボードは開発元のMikroE社、およびオンラインディストリビューターのECサイトから購入可能です。
-
ターゲット
-
両面放熱 2 in 1 モジュールと冷却ユニット
-
ターゲット
xEVトラクションインバーター
-
利用シーン
xEVトラクションインバーターの開発検討へのサンプル提供が可能です。また、冷却設計において、冷却ユニット試作品のモデルや熱解析データの提供が可能です。
-
製品の特徴
RC-IGBT(*)を搭載し小型化を実現した xEVトラクションインバーター向け 両面放熱 2 in 1 モジュールです。SiC MOSFETの搭載も検討しています。また、冷却設計のサポートのため、冷却ユニット試作品のモデルや熱解析データの提供が可能です。
*：RC-IGBT： Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor
-
ターゲット