次世代パワー半導体、二酸化ゲルマニウムパワー半導体 パテンティックス

半導体メーカー、モジュールメーカー、OSAT,大学・研究機関

現在採用が広がっているシリコンカーバイド（SiC）の次の世代を担う新素材、二酸化ゲルマニウムを用いた半導体デバイスの研究開発を行っています。。バンドギャップが4.6eV,絶縁破壊強度が８MVと、SiCをはるかに凌ぐ性能が期待出来ます。現在、２つの方向性の開発を行っており、長期的には①ゲルマonゲルマ→SiCでは到達出来ない高耐圧品、あるいわ現在複数の直列段を用いているコッククロフトウォルトン回路の直列段の軽減狙い、と短期的には②ゲルマon シリコン→SiC以上の性能をSiCよりもより安価にする、というもので、前者に関しましては、これまでに種結晶が出来ており、今後はバルクの大型化に注力して参ります。後者に関しては、現在バッファー層の探索しており、これまでにかなり筋の良さそうな候補がいくつか見つかり、今後更に精度を上げ、2027年中には6インチのエピウェハーの販売を始めたいと考えております。尚、このゲルマonシリコンは縦型デバイスとなり、GaN on Siとは異なります。